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多晶硅锭
我司采用科学配比及先进的铸锭工艺,生产的产品具有低杂质、高效率的特点,是良好的单晶硅棒原料。
技术参数
项目
技术参数
表面质量
无肉眼可见杂质阴影、无损伤
导电型号/掺杂剂
P/N
电阻率
≥20Ω·cm
少子寿命
≥8μs
氧含量
≤0.8 X
10
1
7
atoms/cm³
碳含量
≤0.5 X10
1
7
atoms/cm³
生长方法
DSS